賀德(de)克HYDAC壓(ya)力(li)傳感(gan)器(qi)在使用(yong)的(de)過(guò)(guo)程中(zhong)，壹定要註意(yi)到(dao)使用(yong)環(huán)(huan)境(jing)中(zhong)空(kong)氣(qi)質(zhì)量的問(wèn)(wen)題(ti)，如(ru)果空(kong)氣(qi)中(zhong)的(de)雜質(zhì)與(yu)塵埃過(guò)(guo)多(duo)的(de)話(hua)，就(jiu)會(huì)(hui)使塵(chen)埃(ai)過(guò)(guo)多(duo)的(de)湧入傳(chuan)感器(qi)內(nèi)部，影響傳(chuan)感(gan)器(qi)的使用(yong)效果(guo)。空(kong)氣(qi)中(zhong)的(de)水(shui)汽(qi)也會(huì)(hui)影響(xiang)著空氣壓(ya)力(li)傳感(gan)器(qi)的使用(yong)效果(guo)，如(ru)果水(shui)汽(qi)過(guò)(guo)多(duo)的(de)話(hua)，就(jiu)會(huì)(hui)使傳(chuan)感(gan)器(qi)的(de)的壹些(xie)部位上銹，從而影響使用(yong)的(de)效果(guo)。若(ruo)施加了(le)耐壓(ya)力(li)以上(shang)的壓(ya)力(li)，可能(neng)引(yin)起(qi)破損(sun)。賀德(de)克HYDAC壓(ya)力(li)傳感(gan)器(qi)其次(ci)是使用(yong)環(huán)(huan)境(jing)，避(bi)免在有可燃性(xing)和爆炸(zha)性(xing)氣體的環(huán)境(jing)下(xia)使用(yong)。還(hai)有就是電源(yuan)電壓(ya)和(he)負(fù)(fu)載短(duan)路(lu)，使用(yong)時(shí)請(qǐng)不要超(chao)過(guò)使用(yong)電壓(ya)範(fàn)(fan)圍。
賀德(de)克HYDAC壓(ya)力(li)傳感(gan)器(qi)具(ju)有較(jiao)高(gao)的(de)強(qiáng)(qiang)度/密(mi)度比(bi)和(he)較(jiao)高(gao)的(de)剛(gang)度/密(mi)度比(bi)。單(dan)晶(jing)矽具(ju)有很好的(de)熱導(dǎo)(dao)性，是(shi)不銹鋼的5倍(bei)，而(er)熱膨脹(zhang)系數(shù)則(ze)不到(dao)不銹鋼的1/7，能(neng)很好地和(he)低(di)膨脹(zhang)Invar合金連(lian)接(jie)，並(bing)避免(mian)熱應(yīng)力(li)產(chǎn)生(sheng)。單(dan)晶(jing)矽為立方晶(jing)體，是各向異性(xing)材(cai)料(liao)。許(xu)多(duo)機(jī)(ji)械特(te)性和(he)電子(zi)特性(xing)取決於晶(jing)向，如(ru)彈(dan)性(xing)模量和壓(ya)阻(zu)效應(yīng)等(deng)。單(dan)晶(jing)矽的電阻(zu)應(yīng)變靈敏系數(shù)(shu)高(gao)。在同(tong)樣(yang)的(de)輸(shu)入下(xia)，可以得(de)到(dao)比(bi)金(jin)屬(shu)應(yīng)變計(jì)更(geng)高(gao)的(de)信(xin)號(hào)輸出(chu)，壹般為金(jin)屬(shu)的10-100倍(bei)，能(neng)在10^-6級(jí)(ji)甚至(zhi)10^-8級(jí)(ji)上敏感輸(shu)入信(xin)號(hào)。賀德(de)克HYDAC壓(ya)力(li)傳感(gan)器(qi)矽材(cai)料(liao)的(de)制造(zao)工(gong)藝(yi)與(yu)集成電路(lu)工(gong)藝(yi)有很好的(de)兼容性，便(bian)於微(wei)型化、集成化(hua)及(ji)批量生產(chǎn)(chan)。矽可(ke)以用(yong)許多(duo)材(cai)料(liao)覆(fu)蓋(gai)，如(ru)氮(dan)化(hua)矽(gui)，因而能(neng)獲得優(yōu)異的(de)防(fang)腐介(jie)質(zhì)的保(bao)護(hù)(hu)。具(ju)有較(jiao)好(hao)的(de)耐(nai)磨性。
賀德(de)克HYDAC壓(ya)力(li)傳感(gan)器(qi)在使用(yong)的(de)過(guò)(guo)程中(zhong)應(yīng)註意(yi)的(de)事(shi)項(xiàng)
賀德(de)克HYDAC壓(ya)力(li)傳感(gan)器(qi)的內(nèi)部，設(shè)置有能夠使空(kong)氣(qi)進(jìn)(jin)入的(de)進(jìn)(jin)氣管(guan)，壹旦(dan)通(tong)電之(zhi)後(hou)就能(neng)夠?qū)⒖?kong)氣轉(zhuǎn)(zhuan)入傳(chuan)感器(qi)的內(nèi)部，當(dāng)(dang)空(kong)氣進(jìn)(jin)入之(zhi)後(hou)，就會(huì)(hui)產(chǎn)生(sheng)擠壓(ya)感(gan)應(yīng)器(qi)的(de)壓(ya)力(li)，通(tong)過(guò)(guo)捕(bu)捉電路(lu)內(nèi)部的電流(liu)的(de)大(da)小，就(jiu)能夠簡(jiǎn)介(jie)地(di)通(tong)過(guò)(guo)壓(ya)力(li)大(da)大(da)小來(lái)(lai)傳導(dǎo)(dao)電子(zi)信(xin)號(hào)，從而對(duì)空氣(qi)壓(ya)力(li)傳感(gan)器(qi)所(suo)控(kong)制的(de)裝置發(fā)(fa)出(chu)工(gong)作信(xin)號(hào)，使其(qi)有所(suo)動(dòng)作，完(wan)成(cheng)壹整(zheng)套(tao)的工(gong)作。賀德(de)克HYDAC壓(ya)力(li)傳感(gan)器(qi)利用多(duo)晶(jing)矽膜(mo)這些(xie)電學(xué)特性，有時(shí)比(bi)只用單(dan)晶(jing)矽更(geng)有價(jià)值。例如(ru)，利用機(jī)(ji)械性(xing)能優(yōu)(you)異的(de)單(dan)晶(jing)矽制作感壓(ya)膜(mo)片，在其(qi)上覆蓋(gai)壹層介(jie)質(zhì)膜(mo)SiO2，再在SiO2上(shang)澱(dian)積壹層多(duo)晶(jing)矽壓(ya)阻(zu)膜(mo)。
|
|
|
|
|
 |
