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        1. 產(chǎn)(chan)品(pin)目(mu)錄(lu)
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          技術(shù)(shu)文(wen)章(zhang)
          五(wu)個點(dian)來介(jie)紹NXP半(ban)導體KITPF8200FRDMPGM型的分類(lei)及(ji)性(xing)能(neng)
          點(dian)擊次數(shù)(shu):952 更(geng)新(xin)時(shi)間(jian):2023-04-20 打印本頁面(mian) 返回

              五個點(dian)來介(jie)紹NXP半(ban)導體KITPF8200FRDMPGM型的分類(lei)及(ji)性(xing)能(neng):

              (1)元素NXP半(ban)導體。元素NXP半(ban)導體是指單(dan)壹(yi)元素構(gòu)成(cheng)的NXP半(ban)導體,其(qi)中對(dui)矽(gui)、硒(xi)的(de)研(yan)究比較早(zao)。它(ta)是由相同元素組(zu)成的(de)具(ju)有(you)NXP半(ban)導體特性(xing)的固體材料,容易(yi)受到(dao)微量(liang)雜(za)質(zhì)和外(wai)界(jie)條(tiao)件(jian)的影響(xiang)而發(fā)(fa)生(sheng)變(bian)化(hua)。目(mu)前(qian), 只(zhi)有矽(gui)、鍺(zhe)性(xing)能(neng)好(hao),運用的比較(jiao)廣,硒(xi)在(zai)電(dian)子照(zhao)明(ming)和光(guang)電(dian)領域(yu)中(zhong)應(ying)用。矽(gui)在(zai)NXP半(ban)導體工(gong)業(yè)中(zhong)運用的多,這(zhe)主要(yao)受(shou)到二氧化(hua)矽(gui)的(de)影響(xiang),能(neng)夠在(zai)器件(jian)制(zhi)作上(shang)形成(cheng)掩膜(mo),能(neng)夠提高NXP半(ban)導體器件(jian)的穩(wěn)(wen)定性(xing),利於自動化(hua)工(gong)業(yè)生(sheng)產(chǎn)(chan)。 

              (2)無(wu)機合成(cheng)物(wu)NXP半(ban)導體。無機合成(cheng)物(wu)主(zhu)要(yao)是通過(guo)單壹(yi)元素構(gòu)成(cheng)NXP半(ban)導體材料,當然(ran)也有多(duo)種元素構(gòu)成(cheng)的NXP半(ban)導體材料,主(zhu)要(yao)的(de)NXP半(ban)導體性(xing)質(zhì)有(you)I族與V、VI、VII族;II族與IV、V、VI、VII族;III族與V、VI族;IV族與IV、VI族;V族與VI族;VI族與VI族的(de)結(jié)合(he)化(hua)合物,但受到元素的(de)特性(xing)和制(zhi)作方式(shi)的(de)影響(xiang),不是所(suo)有的(de)化(hua)合物都(dou)能(neng)夠符(fu)合(he)NXP半(ban)導體材料的(de)要(yao)求。這(zhe)壹NXP半(ban)導體主要(yao)運用到高速(su)器件(jian)中,InP制(zhi)造(zao)的(de)晶(jing)體管的速(su)度比其(qi)他材(cai)料都(dou)高,主(zhu)要(yao)運用到光(guang)電(dian)集成(cheng)電(dian)路、抗(kang)核輻(fu)射(she)器件(jian)中。 對(dui)於(yu)導電(dian)率(lv)高的(de)材(cai)料(liao),主要(yao)用於LED等方面(mian)。 

              (3)有(you)機合成(cheng)物(wu)NXP半(ban)導體。有機化(hua)合物是指含(han)分子中含(han)有碳鍵的化(hua)合物,把有機化(hua)合物和碳鍵垂直(zhi),疊加(jia)的方式(shi)能(neng)夠形(xing)成(cheng)導帶,通過(guo)化(hua)學的添加(jia),能(neng)夠讓(rang)其(qi)進入(ru)到(dao)能(neng)帶,這(zhe)樣(yang)可(ke)以(yi)發(fā)(fa)生(sheng)電(dian)導率(lv),從(cong)而形成(cheng)有(you)機化(hua)合物NXP半(ban)導體。這(zhe)壹NXP半(ban)導體和以(yi)往(wang)的(de)NXP半(ban)導體相比,具(ju)有(you)成本低、溶解性(xing)好(hao)、材料(liao)輕加(jia)工(gong)容易(yi)的特(te)點(dian)???ke)以(yi)通過(guo)控制(zhi)分子的方式(shi)來(lai)控制(zhi)導電(dian)性(xing)能(neng),應(ying)用的範(fan)圍(wei)比(bi)較(jiao)廣,主(zhu)要(yao)用於有機薄(bo)膜(mo)、有(you)機照(zhao)明(ming)等方面(mian)。 

              (4)非(fei)晶(jing)態(tài)NXP半(ban)導體。它(ta)又(you)被(bei)叫(jiao)做無(wu)定形NXP半(ban)導體或玻(bo)璃NXP半(ban)導體,屬於半(ban)導電(dian)性(xing)的壹(yi)類(lei)材(cai)料。非(fei)晶(jing)NXP半(ban)導體和其(qi)他非(fei)晶(jing)材料(liao)壹(yi)樣(yang),都(dou)是短(duan)程(cheng)有序、長程(cheng)無序結(jié)構(gòu)。它(ta)主(zhu)要(yao)是通過(guo)改(gai)變(bian)原(yuan)子相對(dui)位置,改(gai)變(bian)原(yuan)有(you)的周期(qi)性(xing)排(pai)列(lie),形成(cheng)非(fei)晶(jing)矽(gui)。晶(jing)態(tài)和非(fei)晶(jing)態(tài)主(zhu)要(yao)區(qū)(qu)別於原子排(pai)列(lie)是否具(ju)有(you)長程(cheng)序。非(fei)晶(jing)態(tài)NXP半(ban)導體的性(xing)能(neng)控制(zhi)難(nan),隨(sui)著技術(shù)(shu)的(de)發(fā)(fa)明(ming),非(fei)晶(jing)態(tài)NXP半(ban)導體開始(shi)使用。這(zhe)壹制(zhi)作工(gong)序簡(jian)單(dan),主(zhu)要(yao)用於工(gong)程(cheng)類(lei),在(zai)光(guang)吸(xi)收(shou)方面(mian)有(you)很好(hao)的效果(guo),主要(yao)運用到太(tai)陽(yang)能(neng)電(dian)池(chi)和液(ye)晶(jing)顯示屏中(zhong)。 

              (5)本征NXP半(ban)導體:不含(han)雜質(zhì)(zhi)且無晶(jing)格缺陷的NXP半(ban)導體稱(cheng)為(wei)本征NXP半(ban)導體。在(zai)極低(di)溫度(du)下,NXP半(ban)導體的價(jia)帶是滿帶,受到熱激(ji)發(fā)(fa)後(hou),價(jia)帶中的部(bu)分電(dian)子會越過(guo)禁(jin)帶進入(ru)能(neng)量較(jiao)高的(de)空(kong)帶,空帶中存在(zai)電(dian)子後(hou)成(cheng)為(wei)導帶,價(jia)帶中缺少壹個電(dian)子後(hou)形(xing)成(cheng)壹個帶正電(dian)的空(kong)位,稱(cheng)為(wei)空穴(xue)??昭?xue)導電(dian)並不是實(shi)際(ji)運動,而是壹種等效。電(dian)子導電(dian)時等(deng)電(dian)量的(de)空(kong)穴(xue)會沿其(qi)反方向運動。它(ta)們(men)在(zai)外電(dian)場作用下產(chǎn)生(sheng)定向運動而形成(cheng)宏(hong)觀電(dian)流,分別稱(cheng)為(wei)電(dian)子導電(dian)和空(kong)穴(xue)導電(dian)。這(zhe)種由(you)於電(dian)子-空穴(xue)對(dui)的(de)產(chǎn)(chan)生(sheng)而形成(cheng)的(de)混合型導電(dian)稱(cheng)為(wei)本征導電(dian)。導帶中的電(dian)子會落入(ru)空(kong)穴(xue),電(dian)子-空穴(xue)對(dui)消(xiao)失(shi),稱(cheng)為(wei)復合(he)。復(fu)合(he)時釋放出(chu)的(de)能(neng)量變(bian)成(cheng)電(dian)磁輻(fu)射(she)(發(fā)(fa)光(guang))或(huo)晶(jing)格的(de)熱振動能(neng)量(發(fā)(fa)熱)。在(zai)壹定溫度下,電(dian)子-空穴(xue)對(dui)的(de)產(chǎn)(chan)生(sheng)和復(fu)合(he)同(tong)時存在(zai)並達(da)到動態(tài)(tai)平衡(heng),此時(shi)NXP半(ban)導體具(ju)有(you)壹定的載流子密(mi)度,從(cong)而具(ju)有(you)壹定的電(dian)阻率(lv)。溫(wen)度升(sheng)高時(shi),將(jiang)產(chǎn)(chan)生更(geng)多(duo)的(de)電(dian)子-空穴(xue)對(dui),載(zai)流子密(mi)度增(zeng)加(jia),電(dian)阻率(lv)減(jian)小。無晶(jing)格缺陷的純凈(jing)NXP半(ban)導體的電(dian)阻率(lv)較(jiao)大(da),實(shi)際(ji)應(ying)用不多(duo)。

              實(shi)物(wu)如(ru)下(xia)圖所(suo)示:


          上(shang)壹篇(pian) 8.A02H.0X0B.1024.BJM6型德國庫伯(bo)勒(le)編(bian)碼(ma)器的工(gong)作原理 下(xia)壹(yi)篇(pian) 這(zhe)六個領域(yu)的客(ke)戶(hu)用的上(shang)HDA4745-A型德國HYDAC壓(ya)力傳(chuan)感器
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